英特尔、台积电与IBM的16/14nm技术有何不同？-爱游戏体育在线登录

英特尔、台积电以及IBM三家企业在逻辑LSI的微细化方面正处于领先地位。这三家企业在最尖端工艺16/14nm技术上不存在哪些战略差异呢？　　在2015年1月30日于东京举办的研讨会SPI论坛三维工艺的障碍与解决方案(主办：日本SemiconductorPortal公司)上，东京大学生产技术研究所的教授平本俊郎同台公开发表了演说。他以从2014IEDM看16/14nmFinFET技术的近期趋势为题，环绕各企业在半导体元件涉及国际学会上公开发表的内容，讲解了尖端CMOS技术的趋势。

　　平本首先认为，尖端CMOS技术开发已从22/20nm工艺过渡性至16/14nm工艺，使用块硅基板的平面结构MOSFET(平面块体MOSFET)随之几乎销声匿迹。原因是平面块体MOSFET很难充份减低较短地下通道效应及不平稳现象。

　　这样一来，16/14nm工艺之后构成了使用块硅基板的FinFET(块体FinFET)、使用SOI(silicononinsulator)基板的FinFET(SOIFinFET)、使用SOI基板的平面结构仅有消耗型晶体管(FDSOI)三足鼎立的局面。自由选择其中的哪一种各不相同各公司的战略，但主流认同是块体FinFET。

本文来源：爱游戏体育在线登录-www.microbialdevelopments.com